Analyse Thermique de Transistors AlInN/GaN avec des Micro-Thermomètres Raman à base de TiO2 et de CeO2

Archive ouverte : Communication dans un congrès

Strenaer, Raphaël | Guhel, Yannick | Brocero, Guillaume | Gaquière, Christophe | Boudart, B.

Edité par HAL CCSD

National audience. L’objectif de cette étude était de déterminer la température de fonctionnement de transistors AlInN/GaN par spectroscopie Raman. Afin d’estimer à la fois la température volumique et surfacique du GaN et des électrodes métalliques, nous avons combiné les possibilités offertes par la spectroscopie micro-Raman classique avec celles offertes par l’utilisation de micro-thermomètres à base de CeO2 et de TiO2 déposés sur le composant. Ainsi, nous avons montré que la température d’auto-échauffement surfacique du GaN mesurée grâce aux microparticules est de l’ordre de 200 °C alors que la température volumique de la couche de GaN est d’environ 150 °C pour une densité linéique de puissance dissipée de 9 W/mm. L’étude nous a permis d’analyser les avantages et les inconvénients de chacun des micro-thermomètres.

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