Tuner intégré large bande en gamme de fréquences millimétriques pour la caractérisation en technologie BiCMOS 55 nm

Archive ouverte : Communication dans un congrès

Maye, Caroline | Margalef-Rovira, Marc | Alaji, Issa | Lepilliet, Sylvie | Gloria, D. | Ducournau, Guillaume | Gaquière, Christophe

Edité par HAL CCSD

National audience. Cet article présente une architecture innovante d’un tuner intégré en gamme de fréquences millimétriques pour répondre aux besoins de la caractérisation load-pull au-delà 140 GHz. L’architecture proposée ici est constituée d’un atténuateur variable à base d’un coupleur 3 dB en ligne microstrip et chargé sur les ports 2 et 3 par des transistors nMOS pour constituer des charges variables. Ce coupleur est terminé sur son port isolé par une ligne de transmission sur laquelle est posée une sonde court-circuitée au niveau des pointes. Le déplacement de la sonde le long de la ligne permet de réaliser une variation en phase du coefficient de réflexion présenté par le tuner à son entrée. Ainsi, une variation du coefficient est obtenue, couvrant les valeurs de 0 à 0.7 sur 360° de 140 à 220 GHz. Enfin, le tuner dispose d’un système de détection à son entrée pour mesurer les coefficients de réflexion du tuner et la puissance en sortie d’un dispositif sous test.

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